ซื้อ FQD9N25TM_F080 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (สูงสุด): | ±30V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | D-Pak |
ชุด: | QFET® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 420 mOhm @ 3.7A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ชื่ออื่น: | FQD9N25TM_F080-ND FQD9N25TM_F080TR |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | FQD9N25TM_F080 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 700pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 250V 7.4A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 250V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 7.4A (Tc) |
Email: | [email protected] |