ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล > FPF1C2P5MF07AM
FPF1C2P5MF07AM
รุ่นผลิตภัณฑ์:
FPF1C2P5MF07AM
ผู้ผลิต:
Fairchild/ON Semiconductor
ลักษณะ:
620V 30A DC/AC HIGH POWER MOD
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12805 Pieces
แผ่นข้อมูล:
FPF1C2P5MF07AM.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ FPF1C2P5MF07AM เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา FPF1C2P5MF07AM ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ FPF1C2P5MF07AM กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):620V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:1.6V @ 15V, 30A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:F1
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:231W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:F1 Module
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
กทช Thermistor:No
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:FPF1C2P5MF07AM
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE:-
อินพุต:Single Phase Bridge Rectifier
ประเภท IGBT:-
ขยายคำอธิบาย:IGBT Module Full Bridge Inverter 620V 39A 231W Chassis Mount F1
ลักษณะ:620V 30A DC/AC HIGH POWER MOD
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):25µA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):39A
องค์ประกอบ:Full Bridge Inverter
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ FPF1C2P5MF07AM

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
FP7G100US60 Image FP7G100US60 Fairchild/ON Semiconductor MODULE SPM 600V 100A EPM7 การสอบสวน
FPF1C2P5BF07A Fairchild/ON Semiconductor MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE การสอบสวน
MIO 600-65E11 IXYS MOD IGBT SGL SWITCH 6500V E11 การสอบสวน
IRG5W50HF06A Infineon Technologies MOD IGBT 600V 50A POWIR 34 การสอบสวน

ข่าว Latest