FP7G50US60 - Fairchild/ON Semiconductor - ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล FP7G50US60

FP7G50US60

รุ่นผลิตภัณฑ์:: FP7G50US60

ผู้ผลิต:: Fairchild/ON Semiconductor

ลักษณะ:: MODULE IGBT 600V 50A EPM7

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 19971 Pieces

แผ่นข้อมูล:: FP7G50US60.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ FP7G50US60 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา FP7G50US60 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ FP7G50US60 กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	600V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:	2.8V @ 15V, 50A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	EPM7
ชุด:	Power-SPM™
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	250W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	EPM7
อุณหภูมิในการทำงาน:	-40°C ~ 125°C (TJ)
กทช Thermistor:	No
ประเภทการติดตั้ง:	Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	FP7G50US60
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE:	2.92nF @ 30V
อินพุต:	Standard
ประเภท IGBT:	-
ขยายคำอธิบาย:	IGBT Module Half Bridge 600V 50A 250W Chassis Mount EPM7
ลักษณะ:	MODULE IGBT 600V 50A EPM7
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	250µA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	50A
องค์ประกอบ:	Half Bridge
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ FP7G50US60

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
CM600DY-24S	Powerex Inc.	IGBT HALF BRIDGE 1200V 600A MOD	การสอบสวน
APTGT200DA120D3G	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 300A 1050W D3	การสอบสวน
IXGN200N60A2	IXYS	IGBT 600V 200A SOT-227B	การสอบสวน
APTGF50A60T1G	Microsemi Corporation	IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1	การสอบสวน
CM400DU-24H	Powerex Inc.	IGBT MOD DUAL 1200V 400A U SER	การสอบสวน
FS400R12A2T4BOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULES	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest