ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > FGL60N100BNTD
FGL60N100BNTD
FGL60N100BNTD
รุ่นผลิตภัณฑ์:
FGL60N100BNTD
ผู้ผลิต:
Fairchild/ON Semiconductor
ลักษณะ:
IGBT 1000V 60A 180W TO264
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16823 Pieces
แผ่นข้อมูล:
FGL60N100BNTD.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ FGL60N100BNTD เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา FGL60N100BNTD ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ FGL60N100BNTD กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):1000V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:2.9V @ 15V, 60A
ทดสอบสภาพ:600V, 60A, 51 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:140ns/630ns
การสลับพลังงาน:-
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-264
ชุด:-
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):1.2µs
เพาเวอร์ - แม็กซ์:180W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-264-3, TO-264AA
ชื่ออื่น:FGL60N100BNTD-ND
FGL60N100BNTDFS
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:FGL60N100BNTD
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:NPT and Trench
ค่าใช้จ่ายประตู:275nC
ขยายคำอธิบาย:IGBT NPT and Trench 1000V 60A 180W Through Hole TO-264
ลักษณะ:IGBT 1000V 60A 180W TO264
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):120A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):60A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ FGL60N100BNTD

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IXSH15N120B Image IXSH15N120B IXYS IGBT 1200V 30A 150W TO247 การสอบสวน
FGL60N100DTU Fairchild/ON Semiconductor IGBT 1000V 60A 176W TO264 การสอบสวน
FGL60N100BNTDTU Image FGL60N100BNTDTU Fairchild/ON Semiconductor IGBT 1000V 60A 180W TO264 การสอบสวน
IKW15N120T2FKSA1 Image IKW15N120T2FKSA1 Infineon Technologies IGBT 1200V 30A 235W TO247-3 การสอบสวน
IGB15N60TATMA1 Image IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies IGBT 600V 30A 130W TO263-3-2 การสอบสวน
IXA17IF1200HJ Image IXA17IF1200HJ IXYS IGBT 1200V 28A 100W TO247 การสอบสวน
FGH40N120ANTU Image FGH40N120ANTU Fairchild/ON Semiconductor IGBT 1200V 64A 417W TO247 การสอบสวน
IXST30N60C Image IXST30N60C IXYS IGBT 600V 55A 200W TO268 การสอบสวน
STGWT80V60F Image STGWT80V60F STMicroelectronics IGBT 600V 120A 469W TO-3P การสอบสวน
FGA120N30DTU Image FGA120N30DTU Fairchild/ON Semiconductor IGBT 300V 120A 290W TO3P การสอบสวน
NGTB60N60SWG Image NGTB60N60SWG ON Semiconductor IGBT 600V 120A 298W TO247 การสอบสวน
SKB15N60HSATMA1 Image SKB15N60HSATMA1 Infineon Technologies IGBT 600V 27A 138W TO263-3 การสอบสวน
AUIRGS4062D1 Image AUIRGS4062D1 Infineon Technologies IGBT 600V 59A 246W D2PAK การสอบสวน
IXGH32N170 Image IXGH32N170 IXYS IGBT 1700V 75A 350W TO247AD การสอบสวน

ข่าว Latest