FDV303N_NB9U008
รุ่นผลิตภัณฑ์:
FDV303N_NB9U008
ผู้ผลิต:
Fairchild/ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19756 Pieces
แผ่นข้อมูล:
1.FDV303N_NB9U008.pdf2.FDV303N_NB9U008.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ FDV303N_NB9U008 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา FDV303N_NB9U008 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ FDV303N_NB9U008 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1.5V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT-23
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:450 mOhm @ 500mA, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):350mW (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:FDV303N_NB9U008
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:50pF @ 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:2.3nC @ 4.5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 25V 680mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):25V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:680mA (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ