FDP55N06
รุ่นผลิตภัณฑ์:
FDP55N06
ผู้ผลิต:
Fairchild/ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16707 Pieces
แผ่นข้อมูล:
1.FDP55N06.pdf2.FDP55N06.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ FDP55N06 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา FDP55N06 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ FDP55N06 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±25V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-220-3
ชุด:UniFET™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:22 mOhm @ 27.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):114W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-220-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:6 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:FDP55N06
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1510pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:37nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 60V 55A (Tc) 114W (Tc) Through Hole TO-220-3
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):60V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:55A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ