FDI2532
รุ่นผลิตภัณฑ์:
FDI2532
ผู้ผลิต:
Fairchild/ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14792 Pieces
แผ่นข้อมูล:
FDI2532.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ FDI2532 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา FDI2532 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ FDI2532 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:I2PAK (TO-262)
ชุด:PowerTrench®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:16 mOhm @ 33A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):310W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:FDI2532
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:5870pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:107nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 150V 8A (Ta), 79A (Tc) 310W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):150V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:8A (Ta), 79A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ