FDD850N10L
FDD850N10L
รุ่นผลิตภัณฑ์:
FDD850N10L
ผู้ผลิต:
Fairchild/ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
17401 Pieces
แผ่นข้อมูล:
FDD850N10L.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ FDD850N10L เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา FDD850N10L ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ FDD850N10L กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-252, (D-Pak)
ชุด:PowerTrench®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:75 mOhm @ 12A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):50W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ชื่ออื่น:FDD850N10LDKR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:6 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:FDD850N10L
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1465pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:28.9nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 100V 15.7A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):100V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:15.7A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ