ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > EPC2034ENGR
EPC2034ENGR
EPC2034ENGR
รุ่นผลิตภัณฑ์:
EPC2034ENGR
ผู้ผลิต:
EPC
ลักษณะ:
TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18215 Pieces
แผ่นข้อมูล:
EPC2034ENGR.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ EPC2034ENGR เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา EPC2034ENGR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ EPC2034ENGR กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 7mA
เทคโนโลยี:GaNFET (Gallium Nitride)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:Die
ชุด:eGaN®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 20A, 5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):-
บรรจุภัณฑ์:Tray
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:Die
ชื่ออื่น:917-EPC2034ENGR
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:EPC2034ENGR
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:940pF @ 100V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:8.5nC @ 5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 200V 31A (Ta) Surface Mount Die
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):200V
ลักษณะ:TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:31A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EPC2034ENGR

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
EPC2035 Image EPC2035 EPC TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2032ENGRT Image EPC2032ENGRT EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE การสอบสวน
EPC2037ENGR Image EPC2037ENGR EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2036ENGRT EPC MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE การสอบสวน
EPC2034 Image EPC2034 EPC TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2033ENGR Image EPC2033ENGR EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2032 Image EPC2032 EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2032ENGR Image EPC2032ENGR EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2038 Image EPC2038 EPC TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2031ENGR Image EPC2031ENGR EPC TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2034ENGRT Image EPC2034ENGRT EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE การสอบสวน
EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2036 Image EPC2036 EPC TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2033ENGRT Image EPC2033ENGRT EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE การสอบสวน

ข่าว Latest