ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > EPC2025ENGR
EPC2025ENGR
EPC2025ENGR
รุ่นผลิตภัณฑ์:
EPC2025ENGR
ผู้ผลิต:
EPC
ลักษณะ:
TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14400 Pieces
แผ่นข้อมูล:
EPC2025ENGR.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ EPC2025ENGR เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา EPC2025ENGR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ EPC2025ENGR กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 1mA
เทคโนโลยี:GaNFET (Gallium Nitride)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:Die Outline (12-Solder Bar)
ชุด:eGaN®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:150 mOhm @ 3A, 5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):-
บรรจุภัณฑ์:Tray
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:Die
ชื่ออื่น:917-EPC2025ENGR
EPC2025ENGRC
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:EPC2025ENGR
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:194pF @ 240V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:1.85nC @ 5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 300V 4A (Ta) Surface Mount Die Outline (12-Solder Bar)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):300V
ลักษณะ:TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:4A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EPC2025ENGR

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2020ENGR Image EPC2020ENGR EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2025 Image EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE การสอบสวน
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2021ENGR Image EPC2021ENGR EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2022 Image EPC2022 EPC TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2022ENGRT Image EPC2022ENGRT EPC TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2021ENG Image EPC2021ENG EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2023ENG Image EPC2023ENG EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2024 Image EPC2024 EPC MOSFET NCH 40V 60A DIE การสอบสวน
EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2021 Image EPC2021 EPC TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2020 Image EPC2020 EPC TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2023ENGR Image EPC2023ENGR EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2020ENG Image EPC2020ENG EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE การสอบสวน

ข่าว Latest