ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - Bipolar (BJT) - อาร์เรย์, Pre-Biase > EMD4DXV6T5G
EMD4DXV6T5G
EMD4DXV6T5G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
EMD4DXV6T5G
ผู้ผลิต:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13221 Pieces
แผ่นข้อมูล:
EMD4DXV6T5G.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ EMD4DXV6T5G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา EMD4DXV6T5G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ EMD4DXV6T5G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):50V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
ประเภททรานซิสเตอร์:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT-563
ชุด:-
ต้านทาน - Emitter ฐาน (R2) (โอห์ม):47k
ต้านทาน - ฐาน (R1) (โอห์ม):47k, 10k
เพาเวอร์ - แม็กซ์:500mW
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-563, SOT-666
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:2 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:EMD4DXV6T5G
ความถี่ - การเปลี่ยน:-
ขยายคำอธิบาย:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
ลักษณะ:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:80 @ 5mA, 10V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):500nA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):100mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EMD4DXV6T5G

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
DMC564000R Image DMC564000R Panasonic Electronic Components TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 การสอบสวน
NSBA124EDXV6T1G Image NSBA124EDXV6T1G ON Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 การสอบสวน
EMF21T2R Image EMF21T2R Rohm Semiconductor TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6 การสอบสวน
NSBA144WDXV6T1G Image NSBA144WDXV6T1G ON Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 การสอบสวน
RN2601(TE85L,F) Image RN2601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 การสอบสวน
EMD4DXV6T1G Image EMD4DXV6T1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 การสอบสวน
UMF21NTR Image UMF21NTR Rohm Semiconductor TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 การสอบสวน
EMD5DXV6T1G Image EMD5DXV6T1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 การสอบสวน
DDC143TH-7 Image DDC143TH-7 Diodes Incorporated TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563 การสอบสวน

ข่าว Latest