EDB4432BBBJ-1D-F-R - Micron Technology Inc. - หน่วยความจำ EDB4432BBBJ-1D-F-R

EDB4432BBBJ-1D-F-R

รุ่นผลิตภัณฑ์:: EDB4432BBBJ-1D-F-R

ผู้ผลิต:: Micron Technology

ลักษณะ:: DRAM LPDDR2 128MX32 FBGA

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 12122 Pieces

แผ่นข้อมูล:: EDB4432BBBJ-1D-F-R.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ EDB4432BBBJ-1D-F-R เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา EDB4432BBBJ-1D-F-R ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ EDB4432BBBJ-1D-F-R กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน:	1.14 V ~ 1.95 V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	134-FBGA (10x11.5)
ความเร็ว:	533MHz
ชุด:	-
บรรจุภัณฑ์:	Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	134-WFBGA
ชื่ออื่น:	EDB4432BBBJ-1D-F-R TR
อุณหภูมิในการทำงาน:	-30°C ~ 85°C (TC)
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	3 (168 Hours)
ประเภทหน่วยความจำ:	Volatile
ขนาดหน่วยความจำ:	4Gb (128M x 32)
รูปแบบหน่วยความจำ:	DRAM
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:	8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	EDB4432BBBJ-1D-F-R
อินเตอร์เฟซ:	Parallel
ลักษณะ:	DRAM LPDDR2 128MX32 FBGA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EDB4432BBBJ-1D-F-R

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
EDB4432BBPE-1D-F-D	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 4GBIT 533MHZ FBGA	การสอบสวน
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 4GBIT 533MHZ 134FBGA	การสอบสวน
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 4GBIT 533MHZ 134FBGA	การสอบสวน
EDB4432BBBH-1D-F-R TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 4GBIT 533MHZ 134FBGA	การสอบสวน
EDB4432BBBJ-1D-F-D	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 4GBIT 533MHZ 134FBGA	การสอบสวน
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 4GBIT 533MHZ 134FBGA	การสอบสวน
EDB4432BBBH-1D-F-D	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 4GBIT 533MHZ 134FBGA	การสอบสวน
EDB4432BBPA-1D-F-R TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 4GBIT 533MHZ FBGA	การสอบสวน
EDB4432BBPA-1D-F-D	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 4GBIT 533MHZ FBGA	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest