DMT8012LFG-13
DMT8012LFG-13
รุ่นผลิตภัณฑ์:
DMT8012LFG-13
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18340 Pieces
แผ่นข้อมูล:
DMT8012LFG-13.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ DMT8012LFG-13 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา DMT8012LFG-13 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DMT8012LFG-13 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PowerDI3333-8
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:16 mOhm @ 12A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):2.2W (Ta), 30W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-PowerWDFN
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:16 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:DMT8012LFG-13
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1949pF @ 40V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:34nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 80V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):80V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:9.5A (Ta), 35A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ