DMP210DUFB4-7
DMP210DUFB4-7
รุ่นผลิตภัณฑ์:
DMP210DUFB4-7
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
17483 Pieces
แผ่นข้อมูล:
DMP210DUFB4-7.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ DMP210DUFB4-7 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา DMP210DUFB4-7 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DMP210DUFB4-7 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±10V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:X2-DFN1006-3
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:5 Ohm @ 100mA, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):350mW (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:3-XFDFN
ชื่ออื่น:DMP210DUFB4-7DITR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:16 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:DMP210DUFB4-7
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:175pF @ 15V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:-
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 20V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):20V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:200mA (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ