DMN3032LE-13
DMN3032LE-13
รุ่นผลิตภัณฑ์:
DMN3032LE-13
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13779 Pieces
แผ่นข้อมูล:
DMN3032LE-13.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ DMN3032LE-13 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา DMN3032LE-13 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DMN3032LE-13 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT-223
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:29 mOhm @ 3.2A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1.8W (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-261-4, TO-261AA
ชื่ออื่น:DMN3032LE-13DITR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:DMN3032LE-13
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:498pF @ 15V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:11.3nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 30V 5.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SOT-223
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):30V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:5.6A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ