DMN10H170SFG-13
DMN10H170SFG-13
รุ่นผลิตภัณฑ์:
DMN10H170SFG-13
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18768 Pieces
แผ่นข้อมูล:
DMN10H170SFG-13.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ DMN10H170SFG-13 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา DMN10H170SFG-13 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DMN10H170SFG-13 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PowerDI3333-8
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:122 mOhm @ 3.3A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):940mW (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-PowerWDFN
ชื่ออื่น:DMN10H170SFG-13DITR
DMN10H170SFG-13TR
DMN10H170SFG-13TR-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:16 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:DMN10H170SFG-13
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:870.7pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:14.9nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 100V 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) 940mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):100V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ