ซื้อ DMN10H170SFG-13 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
DMN10H170SFG-13
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DMN10H170SFG-13
- ผู้ผลิต:
- Diodes Incorporated
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 18768 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- DMN10H170SFG-13.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ DMN10H170SFG-13 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา DMN10H170SFG-13 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PowerDI3333-8 |
| ชุด: | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 122 mOhm @ 3.3A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 940mW (Ta) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-PowerWDFN |
| ชื่ออื่น: | DMN10H170SFG-13DITR DMN10H170SFG-13TR DMN10H170SFG-13TR-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | DMN10H170SFG-13 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 870.7pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 14.9nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 100V 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) 940mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 100V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DMN10H170SFG-13
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN10H170SVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | การสอบสวน |
 |
DMN10H170SFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | การสอบสวน |
|
DMN10H170SVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | การสอบสวน |
 |
DMN10H170SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 12A TO252 | การสอบสวน |
|
DMN10H170SVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TSOT26 | การสอบสวน |
|
DMN10H170SFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | การสอบสวน |
 |
DMN10H170SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI | การสอบสวน |
|
DMN10H170SVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | การสอบสวน |
|
DMN10H120SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog