ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ไดโอด - Rectifiers - โทนเดียว > DHG10I1200PM
DHG10I1200PM
DHG10I1200PM
รุ่นผลิตภัณฑ์:
DHG10I1200PM
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12726 Pieces
แผ่นข้อมูล:
DHG10I1200PM.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ DHG10I1200PM เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา DHG10I1200PM ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DHG10I1200PM กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:2.69V @ 10A
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด):1200V (1.2kV)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-220FPAC
ความเร็ว:Fast Recovery = 200mA (Io)
ชุด:-
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):75ns
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction:-55°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:DHG10I1200PM
ขยายคำอธิบาย:Diode Standard 1200V (1.2kV) 10A Through Hole TO-220FPAC
ประเภทไดโอด:Standard
ลักษณะ:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:15µA @ 1200V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ):10A
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F:-
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DHG10I1200PM

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
DHG10I1800PA Image DHG10I1800PA IXYS DIODE GEN PURP 1.8KV 10A TO220AC การสอบสวน
HFA04TB60STRR Image HFA04TB60STRR Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK การสอบสวน
DHG10I1200PA Image DHG10I1200PA IXYS DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC การสอบสวน
R7011803XXUA Powerex Inc. DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO200 การสอบสวน
DHG100X1200NA Image DHG100X1200NA IXYS DIODE MODULE 1.2KV 50A SOT227B การสอบสวน
ESH2CHE3_A/H Image ESH2CHE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA การสอบสวน
DHG10C600PB Image DHG10C600PB IXYS DIODE ARRAY GP 600V 5A TO220AB การสอบสวน
A170RP Powerex Inc. DIODE GEN PURP 1KV 100A DO205 การสอบสวน
1N4001-E3/73 Image 1N4001-E3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL การสอบสวน
VS-SD1500C08L Image VS-SD1500C08L Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE MODULE 800V 1600A DO200AB การสอบสวน
RF073M2STR Image RF073M2STR Rohm Semiconductor DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU การสอบสวน
BYV29B-600,118 Image BYV29B-600,118 WeEn Semiconductors DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK การสอบสวน
DHG100X600NA Image DHG100X600NA IXYS DIODE MODULE 600V 100A SOT227B การสอบสวน
DHG10I600PA Image DHG10I600PA IXYS DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC การสอบสวน
DHG10I600PM IXYS DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP การสอบสวน

ข่าว Latest