ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > CSD19537Q3
CSD19537Q3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
CSD19537Q3
ผู้ผลิต:
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
15877 Pieces
แผ่นข้อมูล:
CSD19537Q3.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ CSD19537Q3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา CSD19537Q3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CSD19537Q3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3.6V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:8-VSON (3.3x3.3)
ชุด:NexFET™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:14.5 mOhm @ 10A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):2.8W (Ta), 83W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-PowerVDFN
ชื่ออื่น:296-44351-6
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:24 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:CSD19537Q3
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1680pF @ 50V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:21nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 100V 50A (Ta) 2.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):6V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):100V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:50A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CSD19537Q3

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
CSD19537Q3T Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON การสอบสวน
CSD19531Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A 8SON การสอบสวน
CSD19536KTTT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 200A TO263 การสอบสวน
CSD19533Q5AT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A VSONP การสอบสวน
CSD19532KTT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 การสอบสวน
CSD19532Q5BT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A VSON การสอบสวน
CSD19534Q5AT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 50 8SON การสอบสวน
CSD19538Q2T Texas Instruments MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON การสอบสวน
CSD19535KCS Texas Instruments MOSFET N-CH 100V TO-220 การสอบสวน
CSD19534KCS Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A TO220 การสอบสวน
CSD19531Q5AT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A 8SON การสอบสวน
CSD19536KTT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 200A TO263 การสอบสวน
CSD19534Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 50 8SON การสอบสวน
CSD19535KTT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 200A TO263 การสอบสวน
CSD19533Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A 8SON การสอบสวน
CSD19536KCS Texas Instruments MOSFET N-CH 100V TO-220 การสอบสวน
CSD19535KTTT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 200A TO263 การสอบสวน
CSD19532Q5B Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A 8SON การสอบสวน
CSD19538Q3AT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 15A VSONP การสอบสวน

ข่าว Latest