ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล > CPV364M4U
CPV364M4U
CPV364M4U
รุ่นผลิตภัณฑ์:
CPV364M4U
ผู้ผลิต:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
ลักษณะ:
IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12371 Pieces
แผ่นข้อมูล:
CPV364M4U.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ CPV364M4U เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา CPV364M4U ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CPV364M4U กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):600V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:1.84V @ 15V, 20A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:IMS-2
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:63W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:19-SIP (13 Leads), IMS-2
ชื่ออื่น:*CPV364M4U
VS-CPV364M4U
VS-CPV364M4U-ND
VSCPV364M4U
VSCPV364M4U-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
กทช Thermistor:No
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:CPV364M4U
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE:2.1nF @ 30V
อินพุต:Standard
ประเภท IGBT:-
ขยายคำอธิบาย:IGBT Module Three Phase Inverter 600V 20A 63W Through Hole IMS-2
ลักษณะ:IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):250µA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):20A
องค์ประกอบ:Three Phase Inverter
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CPV364M4U

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
CPV363M4U Image CPV363M4U Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2 การสอบสวน
CPV362M4K Image CPV362M4K Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2 การสอบสวน
CPV362M4F Image CPV362M4F Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2 การสอบสวน
IXA220I650NA IXYS IGBT MODULE 650V SOT227 การสอบสวน
CPV364M4F Image CPV364M4F Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2 การสอบสวน
CPV362M4U Image CPV362M4U Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2 การสอบสวน
VS-GA100TS120UPBF Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK การสอบสวน
VDI160-12P1 IXYS MOD IGBT BUCK 1200V ECO-PAC2 การสอบสวน
VS-50MT060WHTAPBF Image VS-50MT060WHTAPBF Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 114A 658W MTP การสอบสวน
CPV363M4F Image CPV363M4F Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2 การสอบสวน
CPV363M4K Image CPV363M4K Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2 การสอบสวน

ข่าว Latest