ซื้อ BTS282Z E3180A กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
BTS282Z E3180A
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- BTS282Z E3180A
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 13618 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- BTS282Z E3180A.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ BTS282Z E3180A เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา BTS282Z E3180A ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2V @ 240µA |
|---|---|
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO220-7-180 |
| ชุด: | TEMPFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 6.5 mOhm @ 36A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 300W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Original-Reel® |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| ชื่ออื่น: | BTS282ZE3180AINDKR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | BTS282Z E3180A |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 4800pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 232nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | Temperature Sensing Diode |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 49V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO220-7-180 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 49V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BTS282Z E3180A
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
BTS282ZAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 | การสอบสวน |
 |
IRFR9010PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK | การสอบสวน |
 |
IPW65R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247 | การสอบสวน |
 |
BTS282ZE3180AATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 | การสอบสวน |
 |
BSC034N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | การสอบสวน |
 |
SSM3J56MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM | การสอบสวน |
 |
TPN30008NH,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON | การสอบสวน |
 |
MCH3477-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3 | การสอบสวน |
 |
STF13NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP | การสอบสวน |
 |
BTS282Z E3230 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 | การสอบสวน |
|
BTS282ZE3230AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 | การสอบสวน |
 |
R6015ANJTL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers