BTS113AE3064NKSA1
BTS113AE3064NKSA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
BTS113AE3064NKSA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18657 Pieces
แผ่นข้อมูล:
BTS113AE3064NKSA1.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ BTS113AE3064NKSA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา BTS113AE3064NKSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BTS113AE3064NKSA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 1mA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:P-TO220AB
ชุด:TEMPFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:170 mOhm @ 5.8A, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):40W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-220-3
ชื่ออื่น:BTS113A E3064
BTS113A E3064-ND
BTS113AE3064
SP000011189
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:BTS113AE3064NKSA1
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:560pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:-
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 60V 11.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole P-TO220AB
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):60V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:11.5A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ