ซื้อ BSZ440N10NS3 G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.7V @ 12µA |
---|---|
Vgs (สูงสุด): | ±20V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TSDSON-8 |
ชุด: | OptiMOS™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 44 mOhm @ 12A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 29W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-PowerTDFN |
ชื่ออื่น: | BSZ440N10NS3 G-ND BSZ440N10NS3 GINTR BSZ440N10NS3G BSZ440N10NS3GATMA1 SP000482442 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | BSZ440N10NS3 G |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 640pF @ 50V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 9.1nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 100V 5.3A (Ta), 18A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 100V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 5.3A (Ta), 18A (Tc) |
Email: | [email protected] |