ซื้อ BSP170PE6327T กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
BSP170PE6327T
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- BSP170PE6327T
- ลักษณะ:
- MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 17045 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- BSP170PE6327T.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ BSP170PE6327T เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา BSP170PE6327T ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-SOT223-4 |
| ชุด: | SIPMOS® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 300 mOhm @ 1.9A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 1.8W (Ta) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-261-4, TO-261AA |
| ชื่ออื่น: | BSP170PE6327XTINTR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | BSP170PE6327T |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 410pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
| ประเภท FET: | P-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | P-Channel 60V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 60V |
| ลักษณะ: | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 1.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BSP170PE6327T
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
BSP170PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | การสอบสวน |
|
BSP170PE6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | การสอบสวน |
 |
IXFT32N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 | การสอบสวน |
|
BSP179H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223 | การสอบสวน |
 |
NVTFS4C25NWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10.1A U8FL | การสอบสวน |
|
BSP171PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | การสอบสวน |
 |
BSC0909NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 34V 44A 8TDSON | การสอบสวน |
|
BSP170PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 | การสอบสวน |
|
BSP171PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 | การสอบสวน |
|
BSP171PE6327T | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | การสอบสวน |
|
BSP171PE6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | การสอบสวน |
 |
MMBF170Q-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23-3 | การสอบสวน |
|
ZVP3310FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.075A SOT23-3 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers