ซื้อ BSO080P03NS3EGXUMA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
BSO080P03NS3EGXUMA1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- BSO080P03NS3EGXUMA1
- ลักษณะ:
- MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 14339 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- BSO080P03NS3EGXUMA1.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ BSO080P03NS3EGXUMA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา BSO080P03NS3EGXUMA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.1V @ 150µA |
|---|---|
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-DSO-8 |
| ชุด: | OptiMOS™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 8 mOhm @ 14.8A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 1.6W (Ta) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ชื่ออื่น: | BSO080P03NS3E G BSO080P03NS3E G-ND BSO080P03NS3E GTR-ND BSO080P03NS3EG SP000472992 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | BSO080P03NS3EGXUMA1 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 6750pF @ 15V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 81nC @ 10V |
| ประเภท FET: | P-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | P-Channel 30V 12A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 30V |
| ลักษณะ: | MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BSO080P03NS3EGXUMA1
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
BSO080P03S H | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO | การสอบสวน |
 |
DMN2046U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23 | การสอบสวน |
|
BSO080P03NS3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO | การสอบสวน |
 |
IPP034N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | การสอบสวน |
 |
ZVNL120CSTOB | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 | การสอบสวน |
 |
IPA60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 | การสอบสวน |
|
IPA50R800CE | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 5A PG-TO220 FPK | การสอบสวน |
|
BSO080P03SNTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO | การสอบสวน |
|
BSO083N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO | การสอบสวน |
|
IRF7811WTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog