ซื้อ BSC16DN25NS3 G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 32µA |
---|---|
Vgs (สูงสุด): | ±20V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TDSON-8 |
ชุด: | OptiMOS™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 165 mOhm @ 5.5A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 62.5W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-PowerTDFN |
ชื่ออื่น: | BSC16DN25NS3G BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GTR SP000781782 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | BSC16DN25NS3 G |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 920pF @ 100V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 11.4nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 250V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 250V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 10.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |