ซื้อ BSC109N10NS3GATMA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.5V @ 45µA |
---|---|
Vgs (สูงสุด): | ±20V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TDSON-8 |
ชุด: | OptiMOS™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 10.9 mOhm @ 46A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 78W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-PowerTDFN |
ชื่ออื่น: | BSC109N10NS3 G BSC109N10NS3 G-ND BSC109N10NS3 GTR-ND BSC109N10NS3G SP000778132 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | BSC109N10NS3GATMA1 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 2500pF @ 50V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 100V 63A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 100V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 63A (Tc) |
Email: | [email protected] |