BS108G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
BS108G
ผู้ผลิต:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14787 Pieces
แผ่นข้อมูล:
BS108G.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ BS108G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา BS108G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BS108G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1.5V @ 1mA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-92-3
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:8 Ohm @ 100mA, 2.8V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):350mW (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:BS108G
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:150pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:-
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):200V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:250mA (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ