BLT80,115 - NXP USA Inc. - ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF BLT80,115

BLT80,115

รุ่นผลิตภัณฑ์:: BLT80,115

ผู้ผลิต:: NXP Semiconductors / Freescale

ลักษณะ:: TRANS NPN 10V 250MA SOT223

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 15510 Pieces

แผ่นข้อมูล:: BLT80,115.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ BLT80,115 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา BLT80,115 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ BLT80,115 กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	10V
ประเภททรานซิสเตอร์:	NPN
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	SOT-223
ชุด:	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	2W
บรรจุภัณฑ์:	Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	TO-261-4, TO-261AA
ชื่ออื่น:	934004160115 BLT80 T/R BLT80 T/R-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:	175°C (TJ)
เสียงรบกวนรูป (เดซิเบล Typ @ F):	-
ประเภทการติดตั้ง:	Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	BLT80,115
ได้รับ:	-
ความถี่ - การเปลี่ยน:	900MHz
ขยายคำอธิบาย:	RF Transistor NPN 10V 250mA 900MHz 2W Surface Mount SOT-223
ลักษณะ:	TRANS NPN 10V 250MA SOT223
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:	25 @ 150mA, 5V
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	250mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BLT80,115

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
SD1727	STMicroelectronics	TRANSISTOR NPN RF HF SSB M164	การสอบสวน
MS1202	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 15W 1A M135	การสอบสวน
2SC5085-O(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS RF NPN 12V 1MHZ USM	การสอบสวน
MS1582	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 135W 8A M173	การสอบสวน
BFP420E6327BTSA1	Infineon Technologies	TRANS NPN RF 4.5V SOT-343	การสอบสวน
BFG425W,115	NXP USA Inc.	TRANS NPN 4.5V 25GHZ SOT-343R	การสอบสวน
NE46234-SE-AZ	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-89	การสอบสวน
BFU520YF	NXP USA Inc.	TRANS RF NPN 12V 30MA 6TSSOP	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest