ซื้อ BLP10H603Z กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
BLP10H603Z
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- BLP10H603Z
- ผู้ผลิต:
- Ampleon
- ลักษณะ:
- RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 17186 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- BLP10H603Z.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ BLP10H603Z เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา BLP10H603Z ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 50V |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 104V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | LDMOS |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 12-HVSON (5x6) |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | 2.5W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 12-VDFN Exposed Pad |
| ชื่ออื่น: | 934068213515 |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 13 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | BLP10H603Z |
| ได้รับ: | 22.8dB |
| ความถี่: | 860MHz |
| ขยายคำอธิบาย: | RF Mosfet LDMOS 50V 15mA 860MHz 22.8dB 2.5W 12-HVSON (5x6) |
| ลักษณะ: | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN |
| พิกัดกระแส: | - |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | 15mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BLP10H603Z
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
BLP10H610AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | การสอบสวน |
 |
BLP10H603AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | การสอบสวน |
|
BLP10H610Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | การสอบสวน |
|
BLP10H605Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | การสอบสวน |
 |
BG3130RH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 | การสอบสวน |
 |
MRF160 | M/A-Com Technology Solutions | FET RF 65V 500MHZ 249-06 | การสอบสวน |
 |
MAGX-000912-500L00 | M/A-Com Technology Solutions | FETS RF GAN 500W 960-1215MHZ | การสอบสวน |
|
BLP10H605AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | การสอบสวน |
 |
VRF141G | Microsemi Corporation | RF PWR MOSFET 80V 40A DIE | การสอบสวน |
 |
MRFE6S9205HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-880 | การสอบสวน |
 |
2SK3079ATE12LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSF RF N CH 10V PW-X | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers