ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > BLF6G27LS-50BN,112
BLF6G27LS-50BN,112
รุ่นผลิตภัณฑ์:
BLF6G27LS-50BN,112
ผู้ผลิต:
NXP Semiconductors / Freescale
ลักษณะ:
TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
15401 Pieces
แผ่นข้อมูล:
BLF6G27LS-50BN,112.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ BLF6G27LS-50BN,112 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา BLF6G27LS-50BN,112 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BLF6G27LS-50BN,112 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:28V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:65V
ประเภททรานซิสเตอร์:LDMOS (Dual)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:CDFM6
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:3W
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-1112B
ชื่ออื่น:934064687112
เสียงรบกวนเต็มตัว:-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:BLF6G27LS-50BN,112
ได้รับ:16.5dB
ความถี่:2.5GHz ~ 2.7GHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 430mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 16.5dB 3W CDFM6
ลักษณะ:TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B
พิกัดกระแส:12A
ปัจจุบัน - การทดสอบ:430mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BLF6G27LS-50BN,112

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
BLF6G20-230P NXP USA Inc. IC BASESTATION FINAL SOT502A การสอบสวน
MRF8P8300HSR5 Image MRF8P8300HSR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S การสอบสวน
BLF6G24-180PN,112 Image BLF6G24-180PN,112 NXP USA Inc. TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A การสอบสวน
PTFB091802FCV1R0XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS H-37248-4 การสอบสวน
BLF6G10LS-200,112 NXP USA Inc. FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B การสอบสวน
BLF6G27LS-50BN,118 NXP USA Inc. TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B การสอบสวน
BLF6G10LS-200,118 NXP USA Inc. FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B การสอบสวน
BLF6G20S-230PRN:11 Image BLF6G20S-230PRN:11 NXP USA Inc. TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539B การสอบสวน
BLF6G27LS-100,118 NXP USA Inc. TRANS PWR LDMOS SOT502 การสอบสวน
BLS2933-100,112 Image BLS2933-100,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 8DB SOT502A การสอบสวน
BF256B Fairchild/ON Semiconductor JFET N-CH 30V 13MA TO92 การสอบสวน

ข่าว Latest