BLC6G22LS-75,112 - NXP USA Inc. - ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF BLC6G22LS-75,112

BLC6G22LS-75,112

รุ่นผลิตภัณฑ์:: BLC6G22LS-75,112

ผู้ผลิต:: NXP Semiconductors / Freescale

ลักษณะ:: FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 14909 Pieces

แผ่นข้อมูล:: BLC6G22LS-75,112.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ BLC6G22LS-75,112 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา BLC6G22LS-75,112 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ BLC6G22LS-75,112 กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:	28V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:	65V
ประเภททรานซิสเตอร์:	LDMOS
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	SOT896B, DFM2
ชุด:	-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:	17W
บรรจุภัณฑ์:	Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	SOT896B
ชื่ออื่น:	934061298112
เสียงรบกวนเต็มตัว:	-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	BLC6G22LS-75,112
ได้รับ:	18.5dB
ความถี่:	2.11GHz ~ 2.17GHz
ขยายคำอธิบาย:	RF Mosfet LDMOS 28V 690mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.5dB 17W SOT896B, DFM2
ลักษณะ:	FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B
พิกัดกระแส:	18A
ปัจจุบัน - การทดสอบ:	690mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BLC6G22LS-75,112

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
ARF448BG	Microsemi Corporation	RF FET N CH 450V 15A TO247	การสอบสวน
ON5233,118	NXP USA Inc.	MOSFET RF SOT428DPAK	การสอบสวน
MRF373ALR1	NXP USA Inc.	FET RF 70V 860MHZ NI-360	การสอบสวน
MRFG35010AR5	NXP USA Inc.	FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF	การสอบสวน
MMRF1018NBR1	NXP USA Inc.	FET RF 120V 860MHZ	การสอบสวน
MRF5S21100HR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-780	การสอบสวน
BLF888AS,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B	การสอบสวน
PTFB213004FV2R0XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS H-37275-6	การสอบสวน
NE650103M-A	CEL	FET RF 15V 2.3GHZ 3M	การสอบสวน
BLF6G10LS-160RN,11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest