ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > BLA6H0912L-1000U
BLA6H0912L-1000U
BLA6H0912L-1000U
รุ่นผลิตภัณฑ์:
BLA6H0912L-1000U
ผู้ผลิต:
Ampleon
ลักษณะ:
RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18889 Pieces
แผ่นข้อมูล:
BLA6H0912L-1000U.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ BLA6H0912L-1000U เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา BLA6H0912L-1000U ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BLA6H0912L-1000U กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:50V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:100V
ประเภททรานซิสเตอร์:LDMOS (Dual), Common Source
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT539A
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:1000W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT539A
ชื่ออื่น:1603-1009
934067402112
BLA6H0912L-1000U-ND
เสียงรบกวนเต็มตัว:-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:13 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:BLA6H0912L-1000U
ได้รับ:15.5dB
ความถี่:1.03GHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 200mA 1.03GHz 15.5dB 1000W SOT539A
ลักษณะ:RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A
พิกัดกระแส:-
ปัจจุบัน - การทดสอบ:200mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BLA6H0912L-1000U

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
BLA6H0912LS-1000U Image BLA6H0912LS-1000U Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B การสอบสวน
BF245B_J35Z Fairchild/ON Semiconductor JFET N-CH 30V 15MA TO92 การสอบสวน
BLA6H0912-500,112 Image BLA6H0912-500,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A การสอบสวน
BLF4G20-110B,112 Image BLF4G20-110B,112 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A การสอบสวน
PTVA120501EAV1R0XTMA1 Image PTVA120501EAV1R0XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS H-36265-2 การสอบสวน
MRF6VP21KHR6 Image MRF6VP21KHR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 การสอบสวน
CRF24010PE Image CRF24010PE Cree/Wolfspeed FET RF 120V 1.95GHZ 440196 การสอบสวน
PXFC192207SHV1R250XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS การสอบสวน
BLA6H1011-600,112 Image BLA6H1011-600,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A การสอบสวน
MRF7S19170HSR3 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S การสอบสวน
MMRF1006HR5 Image MMRF1006HR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230 การสอบสวน

ข่าว Latest