BF771E6327HTSA1 - Infineon Technologies - ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF BF771E6327HTSA1

BF771E6327HTSA1

รุ่นผลิตภัณฑ์:: BF771E6327HTSA1

ผู้ผลิต:: International Rectifier (Infineon Technologies)

ลักษณะ:: TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 13183 Pieces

แผ่นข้อมูล:: BF771E6327HTSA1.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ BF771E6327HTSA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา BF771E6327HTSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ BF771E6327HTSA1 กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	12V
ประเภททรานซิสเตอร์:	NPN
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	PG-SOT23-3
ชุด:	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	580mW
บรรจุภัณฑ์:	Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ชื่ออื่น:	BF 771 E6327 BF 771 E6327-ND BF771E6327XT SP000010967
อุณหภูมิในการทำงาน:	150°C (TJ)
เสียงรบกวนรูป (เดซิเบล Typ @ F):	1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
ประเภทการติดตั้ง:	Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:	6 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	BF771E6327HTSA1
ได้รับ:	10dB ~ 15dB
ความถี่ - การเปลี่ยน:	8GHz
ขยายคำอธิบาย:	RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT23-3
ลักษณะ:	TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:	70 @ 30mA, 8V
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	80mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BF771E6327HTSA1

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
MS1007	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 233W 10A M174	การสอบสวน
LM3046M	Texas Instruments	IC TRANSISTOR ARRAY 14-SOIC	การสอบสวน
2SC4957-T1-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-143	การสอบสวน
MS1051	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 290W 20A M174	การสอบสวน
0105-50	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 140W 500MHZ 55JT2	การสอบสวน
NE68539-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-143	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest