ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > BF5030WH6327XTSA1
BF5030WH6327XTSA1
BF5030WH6327XTSA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
BF5030WH6327XTSA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
FET RF 8V 800MHZ SOT343
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13701 Pieces
แผ่นข้อมูล:
BF5030WH6327XTSA1.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ BF5030WH6327XTSA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา BF5030WH6327XTSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BF5030WH6327XTSA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:3V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:8V
ประเภททรานซิสเตอร์:N-Channel
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT-343
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:-
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SC-82A, SOT-343
ชื่ออื่น:BF 5030W H6327
BF 5030W H6327-ND
SP000753488
เสียงรบกวนเต็มตัว:1.3dB
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:BF5030WH6327XTSA1
ได้รับ:24dB
ความถี่:800MHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet N-Channel 3V 10mA 800MHz 24dB SOT-343
ลักษณะ:FET RF 8V 800MHZ SOT343
พิกัดกระแส:25mA
ปัจจุบัน - การทดสอบ:10mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BF5030WH6327XTSA1

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
BLF573S,112 Image BLF573S,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B การสอบสวน
MRFE6VP100HSR5 Image MRFE6VP100HSR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780 การสอบสวน
BLF25M612,112 Image BLF25M612,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B การสอบสวน
A2T23H300-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS การสอบสวน
ATF-511P8-BLK Image ATF-511P8-BLK Broadcom Limited FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC การสอบสวน
PTFA212001EV4R250XTMA1 Image PTFA212001EV4R250XTMA1 Infineon Technologies FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 การสอบสวน
2SK2854(TE12L,F) Image 2SK2854(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET RF N CH 10V 500MA การสอบสวน
BF5030WE6327HTSA1 Image BF5030WE6327HTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-343 การสอบสวน
BLL6H1214-500,112 Image BLL6H1214-500,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A การสอบสวน
BLF6G10-45,112 Image BLF6G10-45,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A การสอบสวน
PD57060STR-E Image PD57060STR-E STMicroelectronics FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 การสอบสวน
MRF5S21045MBR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.17GHZ TO272-4 การสอบสวน
SLD-1083CZ Image SLD-1083CZ RFMD FET RF 35V 928MHZ RF083 การสอบสวน

ข่าว Latest