ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > BF1204,135
BF1204,135
รุ่นผลิตภัณฑ์:
BF1204,135
ผู้ผลิต:
NXP Semiconductors / Freescale
ลักษณะ:
FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
17107 Pieces
แผ่นข้อมูล:
BF1204,135.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ BF1204,135 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา BF1204,135 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BF1204,135 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:5V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:10V
ประเภททรานซิสเตอร์:N-Channel Dual Gate
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:6-TSSOP
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:-
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ชื่ออื่น:934056334135
เสียงรบกวนเต็มตัว:0.9dB
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:BF1204,135
ได้รับ:30dB
ความถี่:400MHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 12mA 400MHz 30dB 6-TSSOP
ลักษณะ:FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP
พิกัดกระแส:30mA
ปัจจุบัน - การทดสอบ:12mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BF1204,135

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
BF1201,215 Image BF1201,215 NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143B การสอบสวน
BF1208D,115 Image BF1208D,115 NXP USA Inc. MOSFET N-CH DUAL GATE SOD666 การสอบสวน
MRF6V2010GNR1 NXP USA Inc. FET RF 110V 220MHZ TO-270-2 การสอบสวน
BF1202WR,115 Image BF1202WR,115 NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R การสอบสวน
BF1203,115 NXP USA Inc. FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP การสอบสวน
BF1205,115 NXP USA Inc. FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP การสอบสวน
BF1201R,215 Image BF1201R,215 NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R การสอบสวน
BF1201WR,135 Image BF1201WR,135 NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R การสอบสวน
BLF25M612G,118 Image BLF25M612G,118 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C การสอบสวน
BF1206,115 NXP USA Inc. FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP การสอบสวน
BF1205C,115 NXP USA Inc. FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP การสอบสวน
BF1205,135 NXP USA Inc. FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP การสอบสวน
BF1202R,215 Image BF1202R,215 NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R การสอบสวน
BF1202,215 Image BF1202,215 NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143B การสอบสวน
BF1208,115 Image BF1208,115 NXP USA Inc. MOSFET N-CH DUAL GATE SOT666 การสอบสวน
BF1204,115 NXP USA Inc. FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP การสอบสวน
BF1207,115 NXP USA Inc. FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP การสอบสวน
BF1202WR,135 Image BF1202WR,135 NXP USA Inc. MOSFET N-CH DUAL GATE 4DFP การสอบสวน
BF1201WR,115 Image BF1201WR,115 NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R การสอบสวน

ข่าว Latest