ซื้อ BAP1321LX,315 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
BAP1321LX,315
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- BAP1321LX,315
- ผู้ผลิต:
- NXP Semiconductors / Freescale
- ลักษณะ:
- DIODE PIN 60V 100MA SOD-882T
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 16080 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- BAP1321LX,315.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ BAP1321LX,315 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา BAP1321LX,315 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด): | 60V |
|---|---|
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 2-DFN1006D (0.6x1.0) |
| ชุด: | - |
| ต้านทาน @ ถ้า F: | 1.3 Ohm @ 100mA, 100MHz |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 130mW |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 2-XDFN |
| ชื่ออื่น: | 934061245315 BAP1321LX T/R BAP1321LX T/R-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | BAP1321LX,315 |
| ขยายคำอธิบาย: | RF Diode PIN - Single 60V 100mA 130mW 2-DFN1006D (0.6x1.0) |
| ประเภทไดโอด: | PIN - Single |
| ลักษณะ: | DIODE PIN 60V 100MA SOD-882T |
| ปัจจุบัน - แม็กซ์: | 100mA |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | 0.28pF @ 20V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BAP1321LX,315
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
BAP1321-04,215 | NXP USA Inc. | DIODE PIN 60V 100MA SOT-23 | การสอบสวน |
 |
BAP1321-02,115 | NXP USA Inc. | DIODE PIN 60V 100MA SOD-523 | การสอบสวน |
 |
BAP1321-03,115 | NXP USA Inc. | DIODE PIN 60V 100MA SOD-323 | การสอบสวน |
 |
HSMS-282L-TR1G | Broadcom Limited | DIODE SCHOTTKY RF TRP 15V SOT363 | การสอบสวน |
 |
HSMS-8202-TR1G | Broadcom Limited | DIODE SCHOTTKY MIXER 4V SOT-23 | การสอบสวน |
 |
BAP50LX,315 | NXP USA Inc. | DIODE SILICON PIN SOD-882T | การสอบสวน |
|
HSMS-8207-BLKG | Broadcom Limited | DIODE SCHOTTKY MIXER 4V SOT-143 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers