B412F-2T-YEB - Crydom Co. - ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ B412F-2T-YEB

B412F-2T-YEB

รุ่นผลิตภัณฑ์:: B412F-2T-YEB

ผู้ผลิต:: Crydom

ลักษณะ:: RECT BRIDGE SGL PHASE 12A W/OPT

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 16206 Pieces

แผ่นข้อมูล:: B412F-2T-YEB.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ B412F-2T-YEB เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา B412F-2T-YEB ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ B412F-2T-YEB กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด):	1200V
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:	1.25V @ 35A
เทคโนโลยี:	Standard
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	Module
ชุด:	-
บรรจุภัณฑ์:	Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	Module
อุณหภูมิในการทำงาน:	-
ประเภทการติดตั้ง:	Chassis Mount
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	B412F-2T-YEB
ขยายคำอธิบาย:	Bridge Rectifier Single Phase 1200V 12A Chassis Mount Module
ประเภทไดโอด:	Single Phase
ลักษณะ:	RECT BRIDGE SGL PHASE 12A W/OPT
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	-
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ):	12A
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ B412F-2T-YEB

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
GBJ1010	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 1000V 10A GBJ	การสอบสวน
DF208S-G	Comchip Technology	RECTIFIER BRIDGE 2.0A 800V DFS	การสอบสวน
2KBP005M-E4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 2A 50V KBPM	การสอบสวน
B412F-2T	Crydom Co.	RECT BRIDGE SGL PHASE 12A	การสอบสวน
DF1510S-E3/77	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1.5A 1000V 4SMD	การสอบสวน
GBPC15005W	Diodes Incorporated	RECTIFIER BRIDGE 15A 50V GBPCW	การสอบสวน
KBU6G	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 400V 6A KBU	การสอบสวน
BR502L-G	Comchip Technology	RECTIFIER BRIDGE 200V 50A BR-L	การสอบสวน
B412F-2	Crydom Co.	RECT BRIDGE SGL PHASE 12A	การสอบสวน
GSIB6A60N-M3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 6A 600V GSIB-5S	การสอบสวน
KBU3510-G	Comchip Technology	RECT BRIDGE CELL 1000V 35A KBU	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest