ซื้อ AUIRFU8405 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.9V @ 100µA |
---|---|
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | I-Pak |
ชุด: | HEXFET® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 1.98 mOhm @ 90A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 163W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tube |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
ชื่ออื่น: | IRAUIRFU8405 SP001516840 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 13 Weeks |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | AUIRFU8405 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 5171pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 155nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 40V 100A (Tc) 163W (Tc) Through Hole I-Pak |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 40V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 40V 100A IPAK |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |