ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > APT45GP120B2DQ2G
APT45GP120B2DQ2G
APT45GP120B2DQ2G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT45GP120B2DQ2G
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13290 Pieces
แผ่นข้อมูล:
APT45GP120B2DQ2G.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ APT45GP120B2DQ2G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา APT45GP120B2DQ2G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT45GP120B2DQ2G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:3.9V @ 15V, 45A
ทดสอบสภาพ:600V, 45A, 5 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:18ns/100ns
การสลับพลังงาน:900µJ (on), 905µJ (off)
ชุด:POWER MOS 7®
เพาเวอร์ - แม็กซ์:625W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3 Variant
ชื่ออื่น:APT45GP120B2DQ2GMI
APT45GP120B2DQ2GMI-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:22 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:APT45GP120B2DQ2G
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:PT
ค่าใช้จ่ายประตู:185nC
ขยายคำอธิบาย:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole
ลักษณะ:IGBT 1200V 113A 625W TMAX
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):170A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):113A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT45GP120B2DQ2G

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT45GP120BG Image APT45GP120BG Microsemi Corporation IGBT 1200V 100A 625W TO247 การสอบสวน
APT45GP120J Image APT45GP120J Microsemi Corporation IGBT 1200V 75A 329W SOT227 การสอบสวน
APT45GP120JDQ2 Image APT45GP120JDQ2 Microsemi Corporation IGBT 1200V 75A 329W SOT227 การสอบสวน
APT45GR65SSCD10 Microsemi Corporation INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
RJP6085DPK-00#T0 Image RJP6085DPK-00#T0 Renesas Electronics America IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P การสอบสวน
IKW25T120FKSA1 Image IKW25T120FKSA1 Infineon Technologies IGBT 1200V 50A 190W TO247-3 การสอบสวน
APT45M100J Image APT45M100J Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 การสอบสวน
APT45GR65BSCD10 Microsemi Corporation INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
IXGK50N60B2D1 Image IXGK50N60B2D1 IXYS IGBT 600V 75A 400W TO264 การสอบสวน
APT45GR65B2DU30 Microsemi Corporation INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT45GR65B Image APT45GR65B Microsemi Corporation IGBT 650V 92A 357W TO-247 การสอบสวน

ข่าว Latest