ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > A2T07D160W04SR3
A2T07D160W04SR3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
A2T07D160W04SR3
ผู้ผลิต:
NXP Semiconductors / Freescale
ลักษณะ:
FET RF 2CH 70V 803MHZ
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14375 Pieces
แผ่นข้อมูล:
A2T07D160W04SR3.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ A2T07D160W04SR3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา A2T07D160W04SR3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ A2T07D160W04SR3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:28V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:70V
ประเภททรานซิสเตอร์:LDMOS (Dual)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:NI-780S-4
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:30W
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:NI-780S-4
ชื่ออื่น:935315451128
เสียงรบกวนเต็มตัว:-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:10 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:A2T07D160W04SR3
ได้รับ:21.5dB
ความถี่:803MHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 450mA 803MHz 21.5dB 30W NI-780S-4
ลักษณะ:FET RF 2CH 70V 803MHZ
พิกัดกระแส:-
ปัจจุบัน - การทดสอบ:450mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ A2T07D160W04SR3

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
MRF8S18210WHSR3 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.93GHZ NI880XS2 การสอบสวน
BLA6G1011LS-200RG, Image BLA6G1011LS-200RG, Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C การสอบสวน
A2T07H310-24SR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 70V 880MHZ การสอบสวน
MRF5S9100MR1 Image MRF5S9100MR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 880MHZ TO-270-4 การสอบสวน
MRF5P20180HR6 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 การสอบสวน

ข่าว Latest