ซื้อ 3SK292(TE85R,F) กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
3SK292(TE85R,F)
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 3SK292(TE85R,F)
- ผู้ผลิต:
- Toshiba Semiconductor
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 16902 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- 3SK292(TE85R,F).pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ 3SK292(TE85R,F) เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา 3SK292(TE85R,F) ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 6V |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 12.5V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | N-Channel Dual Gate |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SMQ |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SC-61AA |
| ชื่ออื่น: | 3SK292 (TE85R,F) 3SK292(TE85RF)TR |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | 1.4dB |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | 3SK292(TE85R,F) |
| ได้รับ: | 26dB |
| ความถี่: | 500MHz |
| ขยายคำอธิบาย: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 500MHz 26dB SMQ |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ |
| พิกัดกระแส: | 30mA |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 3SK292(TE85R,F)
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFB072707FHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | การสอบสวน |
 |
AFT09S220-02NR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | การสอบสวน |
 |
CLF1G0035S-100,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET HEMT 150V 12DB SOT467B | การสอบสวน |
 |
BF908R,235 | NXP USA Inc. | MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143 | การสอบสวน |
 |
PTFA091201HL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 | การสอบสวน |
 |
3SK294(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | FET RF 12.5V 500MHZ USQ | การสอบสวน |
 |
3SK291(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH SMQ | การสอบสวน |
 |
BLF6G05LS-200RN,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B | การสอบสวน |
 |
CGHV14800F | Cree/Wolfspeed | 800-W 1200-1400-MHZ GAN HEMT | การสอบสวน |
 |
MRF1535FNT1 | NXP USA Inc. | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6 | การสอบสวน |
 |
MRF6P27160HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230 | การสอบสวน |
|
3SK293(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | FET RF 12.5V 800MHZ USQ | การสอบสวน |
 |
MRF7S18125BHR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI780 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers