3LN01M-TL-E
3LN01M-TL-E
รุ่นผลิตภัณฑ์:
3LN01M-TL-E
ผู้ผลิต:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 30V 0.15A
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16174 Pieces
แผ่นข้อมูล:
3LN01M-TL-E.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ 3LN01M-TL-E เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา 3LN01M-TL-E ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 3LN01M-TL-E กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1.3V @ 100µA
Vgs (สูงสุด):±10V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SC-70 / MCPH3
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:3.7 Ohm @ 80mA, 4V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):150mW (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SC-70, SOT-323
ชื่ออื่น:3LN01M-TL-E-ND
3LN01M-TL-EOSTR
อุณหภูมิในการทำงาน:150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:3LN01M-TL-E
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:7pF @ 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:1.58nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 30V 150mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-70 / MCPH3
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):1.5V, 4V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):30V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 30V 0.15A
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:150mA (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ