ซื้อ 3135GN-100M กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
3135GN-100M
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 3135GN-100M
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- TRANSISTOR GAN 55-QP
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 19151 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- 3135GN-100M.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ 3135GN-100M เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา 3135GN-100M ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | - |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | - |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | - |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | 3135GN-100M |
| ได้รับ: | - |
| ความถี่: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | RF Mosfet |
| ลักษณะ: | TRANSISTOR GAN 55-QP |
| พิกัดกระแส: | - |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 3135GN-100M
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G27-75,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502A | การสอบสวน |
 |
BLF8G22LS-240J | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B | การสอบสวน |
 |
3SK263-5-TG-E | ON Semiconductor | FET RF 15V 200MHZ CP4 | การสอบสวน |
 |
BF245C_D74Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 25MA TO92 | การสอบสวน |
 |
3135GN-170M | Microsemi Corporation | FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP | การสอบสวน |
 |
PTFA190451FV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 | การสอบสวน |
 |
MRF8S8260HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 895MHZ NI880 | การสอบสวน |
 |
MRF6S24140HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.39GHZ NI-88OS | การสอบสวน |
 |
SPF-3143 | RFMD | IC TRANS PHEMT 10GHZ SOT-343 | การสอบสวน |
|
BLF7G22LS-200,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | การสอบสวน |
 |
BLF8G09LS-270GWQ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C | การสอบสวน |
 |
ARF460BG | Microsemi Corporation | FET RF N-CH 500V 14A TO247 | การสอบสวน |
 |
BF556C,215 | NXP USA Inc. | JFET N-CH 30V 18MA SOT23 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog