2SK3662(F)
2SK3662(F)
รุ่นผลิตภัณฑ์:
2SK3662(F)
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13951 Pieces
แผ่นข้อมูล:
1.2SK3662(F).pdf2.2SK3662(F).pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ 2SK3662(F) เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา 2SK3662(F) ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 2SK3662(F) กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 1mA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-220NIS
ชุด:U-MOSIII
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:12.5 mOhm @ 18A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):35W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-220-3 Full Pack
อุณหภูมิในการทำงาน:150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:2SK3662(F)
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:5120pF @ 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:91nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 60V 35A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220NIS
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):60V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:35A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ