ซื้อ 2N7000G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3V @ 1mA |
---|---|
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-92-3 |
ชุด: | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 350mW (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
ชื่ออื่น: | 2N7000G-ND 2N7000GOS |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | 2N7000G |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 60pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | - |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 60V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Through Hole TO-92-3 |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 60V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 200mA (Ta) |
Email: | [email protected] |