ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อาร์เรย์ > 2N5795
2N5795
รุ่นผลิตภัณฑ์:
2N5795
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
TRANS 2PNP 60V 0.6A TO-78
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
15204 Pieces
แผ่นข้อมูล:
2N5795.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ 2N5795 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา 2N5795 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 2N5795 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):60V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:1.6V @ 50mA, 500mA
ประเภททรานซิสเตอร์:2 PNP (Dual)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-78-6
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:600mW
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-78-6 Metal Can
ชื่ออื่น:1086-21077
1086-21077-MIL
อุณหภูมิในการทำงาน:-65°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:22 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:2N5795
ความถี่ - การเปลี่ยน:-
ขยายคำอธิบาย:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 600mA 600mW Through Hole TO-78-6
ลักษณะ:TRANS 2PNP 60V 0.6A TO-78
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:40 @ 150mA, 10V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):10µA (ICBO)
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):600mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 2N5795

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
NSV40301MDR2G ON Semiconductor TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC การสอบสวน
BC846BPDW1T1G Image BC846BPDW1T1G ON Semiconductor TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363 การสอบสวน
BC 846PN H6727 Image BC 846PN H6727 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363-6 การสอบสวน

ข่าว Latest