1N6663US
1N6663US
รุ่นผลิตภัณฑ์:
1N6663US
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13666 Pieces
แผ่นข้อมูล:
1N6663US.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ 1N6663US เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา 1N6663US ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 1N6663US กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:1V @ 400mA
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด):600V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:D-5A
ความเร็ว:Fast Recovery = 200mA (Io)
ชุด:-
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SQ-MELF, A
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction:-65°C ~ 175°C
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:7 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:1N6663US
ขยายคำอธิบาย:Diode Standard 600V 500mA (DC) Surface Mount D-5A
ประเภทไดโอด:Standard
ลักษณะ:DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:50nA @ 600V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ):500mA (DC)
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F:-
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ