1N4005G
1N4005G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
1N4005G
ผู้ผลิต:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18210 Pieces
แผ่นข้อมูล:
1N4005G.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ 1N4005G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา 1N4005G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 1N4005G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:1.1V @ 1A
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด):600V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:DO-41
ความเร็ว:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ชุด:-
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:DO-204AL, DO-41, Axial
ชื่ออื่น:1N4005GOS
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction:-65°C ~ 175°C
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:11 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:1N4005G
ขยายคำอธิบาย:Diode Standard 600V 1A Through Hole DO-41
ประเภทไดโอด:Standard
ลักษณะ:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:10µA @ 600V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ):1A
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F:-
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ