ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > IXBF32N300
IXBF32N300
IXBF32N300
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXBF32N300
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
15714 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXBF32N300.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXBF32N300 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXBF32N300 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXBF32N300 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):3000V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:3.2V @ 15V, 32A
ทดสอบสภาพ:-
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:-
การสลับพลังงาน:-
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:ISOPLUS i4-PAC™
ชุด:BIMOSFET™
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):1.5µs
เพาเวอร์ - แม็กซ์:160W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:i4-Pac™-5 (3 leads)
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:16 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXBF32N300
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:-
ค่าใช้จ่ายประตู:142nC
ขยายคำอธิบาย:IGBT 3000V 40A 160W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
ลักษณะ:IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):250A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):40A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXBF32N300

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT102GA60L Image APT102GA60L Microsemi Corporation IGBT 600V 183A 780W TO264 การสอบสวน
IKW30N65EL5XKSA1 Image IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 การสอบสวน
RJH60V1BDPP-M0#T2 Image RJH60V1BDPP-M0#T2 Renesas Electronics America IGBT 600V 16A 30W TO-220FL การสอบสวน
HGTD3N60C3S9A Image HGTD3N60C3S9A Fairchild/ON Semiconductor IGBT 600V 6A 33W TO252AA การสอบสวน
IRG4BC30F-STRRP Image IRG4BC30F-STRRP Infineon Technologies IGBT 600V 31A 100W D2PAK การสอบสวน
IXGH25N120A Image IXGH25N120A IXYS IGBT 1200V 50A 200W TO247AD การสอบสวน
NGTB75N60FL2WG Image NGTB75N60FL2WG ON Semiconductor IGBT 600V 75A TO247 การสอบสวน
SGH20N60RUFDTU Image SGH20N60RUFDTU Fairchild/ON Semiconductor IGBT 600V 32A 195W TO3P การสอบสวน
IRG4BC20K-STRRP Image IRG4BC20K-STRRP Infineon Technologies IGBT 600V 16A 60W D2PAK การสอบสวน
IXGP10N60A Image IXGP10N60A IXYS IGBT 600V 20A 100W TO220AB การสอบสวน
FGP30N6S2D Fairchild/ON Semiconductor IGBT 600V 45A 167W TO220AB การสอบสวน
IRG7PH46UD-EP Image IRG7PH46UD-EP Infineon Technologies IGBT 1200V 108A COPAK247 การสอบสวน
IXER35N120D1 Image IXER35N120D1 IXYS IGBT 1200V 50A 200W TO247 การสอบสวน

ข่าว Latest