ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > SGH20N60RUFDTU
SGH20N60RUFDTU
SGH20N60RUFDTU
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SGH20N60RUFDTU
ผู้ผลิต:
Fairchild/ON Semiconductor
ลักษณะ:
IGBT 600V 32A 195W TO3P
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
15420 Pieces
แผ่นข้อมูล:
SGH20N60RUFDTU.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SGH20N60RUFDTU เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SGH20N60RUFDTU ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SGH20N60RUFDTU กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):600V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:2.8V @ 15V, 20A
ทดสอบสภาพ:300V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:30ns/48ns
การสลับพลังงาน:524µJ (on), 473µJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-3PN
ชุด:-
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):95ns
เพาเวอร์ - แม็กซ์:195W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-3P-3, SC-65-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SGH20N60RUFDTU
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:-
ค่าใช้จ่ายประตู:55nC
ขยายคำอธิบาย:IGBT 600V 32A 195W Through Hole TO-3PN
ลักษณะ:IGBT 600V 32A 195W TO3P
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):60A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):32A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SGH20N60RUFDTU

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IXGH25N120A Image IXGH25N120A IXYS IGBT 1200V 50A 200W TO247AD การสอบสวน
IRG4BC30F-STRRP Image IRG4BC30F-STRRP Infineon Technologies IGBT 600V 31A 100W D2PAK การสอบสวน
IRG4BC20K-STRRP Image IRG4BC20K-STRRP Infineon Technologies IGBT 600V 16A 60W D2PAK การสอบสวน
RJH60V1BDPP-M0#T2 Image RJH60V1BDPP-M0#T2 Renesas Electronics America IGBT 600V 16A 30W TO-220FL การสอบสวน
IRG7PH46UD-EP Image IRG7PH46UD-EP Infineon Technologies IGBT 1200V 108A COPAK247 การสอบสวน
IXER35N120D1 Image IXER35N120D1 IXYS IGBT 1200V 50A 200W TO247 การสอบสวน
IXGH25N120 Image IXGH25N120 IXYS IGBT 1200V 50A 200W TO247AD การสอบสวน
NGTB50N60SWG Image NGTB50N60SWG ON Semiconductor IGBT 600V 50A TO247 การสอบสวน
IKW30N65EL5XKSA1 Image IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 การสอบสวน
FGP30N6S2D Fairchild/ON Semiconductor IGBT 600V 45A 167W TO220AB การสอบสวน
IXSH40N60B2D1 Image IXSH40N60B2D1 IXYS IGBT 600V 48A TO247 การสอบสวน
APT102GA60L Image APT102GA60L Microsemi Corporation IGBT 600V 183A 780W TO264 การสอบสวน
NGTB75N60FL2WG Image NGTB75N60FL2WG ON Semiconductor IGBT 600V 75A TO247 การสอบสวน

ข่าว Latest